900nm Si PIN 포토다이오드
특징
- 전면 조명 구조
- 낮은 암전류
- 높은 응답
- 높은 신뢰성
애플리케이션
- 광섬유 통신, 감지 및 범위 지정
- UV에서 NIR까지의 광학적 감지
- 빠른 광학 펄스 감지
- 산업용 제어 시스템
광전파라미터(@Ta=25℃)
| 안건 # | 패키지 카테고리 | 감광면 지름(mm) | 스펙트럼 응답 범위 (nm) |
피크 응답 파장 (nm) | 응답성(A/W) λ=900nm
| 상승 시간 λ=900nm VR=15V RL=50Ω(ns) | 암전류 VR=15V (nA) | 접합 커패시턴스 VR=15V f=1MHz (pF) | 항복 전압 (V)
|
| GT101Ф0.2 | 동축 유형 II, 5501, TO-46, 플러그 유형 | Ф0.2 |
4～1100 |
930
| 0.63 | 4 | 0.1 | 0.8 | >200 |
| GT101Ф0.5 | Ф0.5 | 5 | 0.1 | 1.2 | |||||
| GT101Ф1 | Ф1.0 | 5 | 0.1 | 2.0 | |||||
| GT101Ф2 | TO-5 | Ф2.0 | 7 | 0.5 | 6.0 | ||||
| GT101Ф4 | T0-8 | Ф4.0 | 10 | 1.0 | 20.0 | ||||
| GD3251Y | TO-8 | Ф6.0 | 20 | 10 | 30 | ||||
| GT101Ф8 | T0-8 | Ф8.0 | 20 | 3.0 | 70.0 | ||||
| GD3252Y | T0-8 | 5.8×5.8 | 25 | 10 | 35 |
