DFBF

850nm Si PIN 모듈

850nm Si PIN 모듈

모델: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

간단한 설명:

미약한 전류 신호를 증폭하고 전압 신호로 변환하여 광자-광전 신호 증폭의 변환 프로세스를 달성하는 사전 증폭 회로가 있는 850nm Si PIN 광다이오드 모듈입니다.


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기술적인 매개변수

제품 태그

특징

  • 고속 응답
  • 고감도

애플리케이션

  • 레이저 퓨즈

광전 매개변수(@Ta=22±3℃)

안건 #

패키지 카테고리

감광면 지름(mm)

책임감

상승 시간

(ns)

다이내믹 레인지

(dB)

 

작동 전압

(V)

 

노이즈 전압

(mV)

 

메모

λ=850nm, φe=1μW

λ=850nm

GD4213Y

TO-8

2

110

12

20

±5±0.3

12

-

GD4251Y

2

130

12

20

±6±0.3

40

(입사각: 0°, 투과율 830nm~910nm ≥90%

GD4251Y-A

10×1.5

130

18

20

±6±0.3

40

GD42121Y

10×0.95

110

20

20

±5±0.1

25

참고: GD4213Y의 테스트 부하는 50Ω이고 나머지는 1MΩ입니다.

 

 


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