탐지기

탐지기

  • 355nm APD

    355nm APD

    감광면이 크고 UV가 강화된 Si Avalanche 포토다이오드입니다.UV에서 NIR까지 높은 감도를 제공합니다.

  • 800nm ​​APD

    800nm ​​APD

    UV부터 NIR까지 고감도를 제공하는 Si Avalanche 포토다이오드입니다.피크 응답 파장은 800nm입니다.

  • 905nm APD

    905nm APD

    UV부터 NIR까지 고감도를 제공하는 Si Avalanche 포토다이오드입니다.피크 응답 파장은 905nm입니다.

  • 1064nm APD

    1064nm APD

    UV부터 NIR까지 고감도를 제공하는 Si Avalanche 포토다이오드입니다.피크 응답 파장은 1064nm입니다.응답성: 1064nm에서 36A/W.

  • 1064nm APD 모듈

    1064nm APD 모듈

    약한 전류 신호를 증폭하고 전압 신호로 변환하여 광자-광전 신호 증폭의 변환 프로세스를 달성하는 사전 증폭 회로가 있는 향상된 Si 애벌랜치 포토다이오드 모듈입니다.

  • InGaAs APD 모듈

    InGaAs APD 모듈

    미약한 전류 신호를 증폭하고 전압 신호로 변환하여 광자-광전 신호 증폭의 변환 프로세스를 달성하는 사전 증폭 회로가 있는 인듐 갈륨 비소 애벌런치 포토다이오드 모듈입니다.

  • 4사분면 APD

    4사분면 APD

    UV에서 NIR에 이르는 고감도를 제공하는 Si Avalanche 포토다이오드와 동일한 4개의 장치로 구성됩니다.피크 응답 파장은 980nm입니다.응답성: 1064nm에서 40A/W.

  • 4사분면 APD 모듈

    4사분면 APD 모듈

    그것은 약한 전류 신호가 증폭되고 전압 신호로 변환되어 광자-광전-신호 증폭의 변환 프로세스를 달성하는 사전 증폭 회로가 있는 Si 눈사태 포토다이오드의 4개의 동일한 장치로 구성됩니다.

  • 850nm Si PIN 모듈

    850nm Si PIN 모듈

    미약한 전류 신호를 증폭하고 전압 신호로 변환하여 광자-광전 신호 증폭의 변환 프로세스를 달성하는 사전 증폭 회로가 있는 850nm Si PIN 광다이오드 모듈입니다.

  • 900nm Si PIN 포토다이오드

    900nm Si PIN 포토다이오드

    역방향 바이어스에서 작동하고 UV에서 NIR에 이르는 높은 감도를 제공하는 Si PIN 포토다이오드입니다.피크 응답 파장은 930nm입니다.

  • 1064nm Si PIN 포토다이오드

    1064nm Si PIN 포토다이오드

    역방향 바이어스에서 작동하고 UV에서 NIR까지 높은 감도를 제공하는 Si PIN 포토다이오드입니다.피크 응답 파장은 980nm입니다.응답성: 1064nm에서 0.3A/W.

  • 파이버 Si PIN 모듈

    파이버 Si PIN 모듈

    광 신호는 광섬유를 입력하여 전류 신호로 변환됩니다.Si PIN 모듈은 미약한 전류 신호를 증폭하고 전압 신호로 변환하여 광자-광전 신호 증폭의 변환 프로세스를 달성하는 사전 증폭 회로를 갖추고 있습니다.

12다음 >>> 페이지 1 / 2