4사분면 Si PIN
특징
- 낮은 암전류
- 높은 응답
- 좋은 사분면 일관성
- 작은 사각지대
애플리케이션
- 레이저 안내, 타겟팅 및 추적
- 탐사 장치용
- 레이저 마이크로 포지셔닝, 변위 모니터링 및 정밀 측정 시스템
광전파라미터(@Ta=25℃)
안건 # |
패키지 카테고리 | 지름 감광면(mm) | 스펙트럼 응답 범위 (nm) | 피크 응답 파장 | 책임감 λ=1064nm (kV/W)
| 암전류 (nA)
| 상승 시간 λ=1064nm RL=50Ω(ns)
| 접합 커패시턴스 f=1MHz (pF) | 항복 전압 (V)
|
GT111 | TO-8 | Ф4 |
400~1100 |
980 | 0.3 | 5(VR=40V) | 15(VR=40V) | 5(VR=10V) | 100 |
GT112 | Ф6 | 7(VR=40V) | 20(VR=40V) | 7(VR=10V) | |||||
GD3250Y | Ф8 | 10(VR=40V) | 25(VR=40V) | 10(VR=10V) | |||||
GD3249Y | TO-20 | Ф10 | 15(VR=40V) | 30(VR=40V) | 15(VR=10V) | ||||
GD3244Y | TO-31-7 | Ф10 | 0.4 | 20(VR=135V) | 20(VR=135V) | 10(VR=135V) | 300 | ||
GD3245Y | Ф16 | 50(VR=135V) | 30(VR=135V) | 20(VR=135V) | |||||
GD32413Y | MBCY026-P6 | Ф14 | 40(VR=135V) | 25(VR=135V) | 16(VR=135V) | ||||
GD32414Y | TO-8 | Ф5.3 | 400~1150 | 0.5 | 4.8(VR=140V) | 15(VR=140V) | 4.2(VR=140V) | ≥300 | |
GD32415Y | MBCY026-W7W | Ф11.3 | ≤20(VR=180V) | 20(VR=180V) | 10(VR=180V) |